三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱

广东工业大学学报 ›› 2002, Vol. 19 ›› Issue (3): 14-17.

三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱

广东工业大学应用物理系；华南理工大学应用物理系；华南理工大学应用物理系广东广州510090；广东广州510640；广东广州510640；

出版日期:2002-09-04 发布日期:2002-09-04

The Tightbinding of the Threetile Quasiperiodic Semiconductor Superlattices

(1.Dept.of Applied Physics,GDUT,Guangzhou 510090,China;2.Dept. of Physics,South China University of Techolgy,Guangzhou 510640,China)

Online:2002-09-04 Published:2002-09-04

摘要/Abstract

摘要： 用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统———三元准周期超晶格系统的电子隧穿结果表明:大代数的情况下,电子出现共振隧穿透射的能量区域则集中在某一小的能量范围内,而杂质的存在对系统的电子透射率谱有明显的影响

姚源卫；蔡敏；屈晔； . 三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱[J]. 广东工业大学学报, 2002, 19(3): 14-17.

YAO Yuanwei1,CAI Min2,QU Yue2. The Tightbinding of the Threetile Quasiperiodic Semiconductor Superlattices[J]. Journal of Guangdong University of Technology, 2002, 19(3): 14-17.

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The Tightbinding of the Threetile Quasiperiodic Semiconductor Superlattices

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