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N型硅和铝界面的时域介电谱
范仰才
,
周镇宏
,
李景德
Time Domain Dielectric Spectroscopy of N Silicon-Aluminium Interface
Fan Yangcai
,
Zhou Zhenhong
,
Li Jingde
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用微分时域介电谱方法在液氮温度下研究了掺磷硅单晶和铝接触界面势垒层的性质.观察到除通常频域方法能测出的快极化响应外,还存在三种不同的慢极化机构.响应时间为1.12ms、0.69s和29.0s的慢效应可分别解释为载流子扩散、施主能级激发和表面俘获能级的贡献.
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