摘要: 钛酸锶的还原工艺和晶粒性质范仰才等（基础部）掺杂钛酸锶陶瓷可用作内边界层电容，其表观介电常数可高达１０５．这种晶界层陶瓷的研制过程分为两步：先将陶半导体化以使晶粒具有高电导，再令晶界层绝缘化．通常关心的是两步工艺完成后晶界层的性质．对只经第一步而未经...